Azərbaycan
TIL113, 4NXX seriyalı cihazların hər biri optik olaraq darlinqton detektoruna qoşulmuş infraqırmızı dioddan ibarətdir. Onlar 6 pinli DIP paketində qablaşdırılıb və geniş diapazonlu və SMD seçimində mövcuddur.
{01173501} {01173016} {0171016s066}
(1) 4NXX seriyası: 4N29, 4N31, 4N31, 6558} TIL113 seriyası : TIL113.
(2) Yüksək izolyasiya gərginlik {313658 arasında giriş və çıxış (Viso=5000 V rms)
(3) Sürünmə məsafə >7,62 1 mm {019}
(4) İşləmə temperatur yuxarı ilə +115°C {49091019}
(5) Kompakt ikili xətt paket (6) Təhlükəsizlik təsdiq UL təsdiqlənib(No.E323844) VDE təsdiqləndi(No.40029733) CQC təsdiq (No.CQC19001231480 ) (7) uyğunluqda RoHS, {313655} standartlarına REACH. (8) MSL Sinif Ⅰ Təlimatlar Aşağı güc məntiqi sxemləri Telekommunikasiya avadanlıqları Portativ elektronika Müxtəlif potensiallı və empedanslı birləşmə sistemlərini birləşdirən Maks Mütləq nominal dəyər (Normal Temperatur=25℃) Parametr Simvol Qiymətləndirilmiş dəyər Vahid Daxiletmə İrəli Cari ƏGƏR 60 mA Qovşağın temperaturu TJ 125 ℃ Əks Gərginlik VR 6 V Güc itkisi (TA = 25°C) Azaltma faktoru (100°C-dən yuxarı) PD 120 mVt 3,8 mVt/°C Çıxış Kollektor-emitter Gərginliyi VCEO 80 V Kollektor-Baza gərginliyi VCBO 80 Emitent-Kollektor gərginliyi VECO 7 Emitent-Baza gərginliyi VEBO 7 Gücün yayılması (T A = 25°C) Azaldıcı faktor (100°C-dən yuxarı) PC 150 mVt 6,5 mVt/°C Ümumi İstehlak Gücü Ptot 200 mVt *1 İzolyasiya Gərginliyi Viso 5000 Vrms İşləmə temperaturu Topr -55 ilə + 115 ℃ Depozit temperaturu TSTG -55 - + 150 *2 Lehimləmə temperaturu TSOL 260 *1. AC Testi, 1 dəqiqə, rütubət = 40~60% Aşağıdakı kimi İzolyasiya test üsulu: Fotocouplerin hər iki terminalında qısa qapanma. İzolyasiya gərginliyini sınaqdan keçirərkən cərəyan. Sınaq zamanı sinus dalğa gərginliyinin əlavə edilməsi *2. lehimləmə müddəti 10 saniyədir. Parametr Simvol Min Növ.* Maks. Vahid Vəziyyət Daxiletmə İrəli Gərginlik VF --- 1.2 1,5 V ƏG=10mA Əks Cari IR --- --- 10 μA VR=6V Kollektorun tutumu Cin --- 50 --- pF V=0, f=1MHz Çıxış Kollektor-Baza qaranlıq Cari ICBO --- --- 20 nA VCB=10V Cari emitent üçün kollektor ICEO --- --- 100 nA VCE=10V, IF=0mA Kollektor-emitter zəifləməsi Gərginliyi BVCEO 55 --- --- V IC=1mA Kollektor-Bazanın dağılması Gərginliyi BVCBO 55 --- --- V IC=0,1mA Emitent-Kollektorun zəifləməsi Gərginliyi BVECO 7 --- --- V IE=0,1mA TransformingCharacteristic s Cari Transfer nisbəti 4N32,4N33 CTR 500 --- --- % ƏG=10mA VCE=10V 4N29,4N30 100 --- --- 4N31 50 --- --- TIL113 300 --- --- IF=10mAVCE=1V Kollektor və Emitent Doyma Gərginliyi 4N29, 4N30, 4N32,4N33 VCE(yer) --- --- 1,0 V ƏG=8mA IC=2mA 4N31, TIL113 --- --- 1.2 ƏG=8mA, IC=2mA İzolyasiya Müqaviməti Riso 1011 --- --- Ω DC500V 40~60%R.H. Giriş-çıxış tutumu CIO --- 0,8 --- pF VIO=0, f=1MHz Cavab müddəti tr --- 3 10 μs VCC=10V, IC=10mARL=100Ω Eniş vaxtı tf --- 6 10 μs Cari Dönüşüm Oranı = IC / IF × 100% Sifariş məlumatı
TIL113, 4NXX seriyalı cihazların hər biri infraqırmızı şüalar ilə aşkarlanmış və ya darıxdırıcı şəkildə aşkarlanmış bir cüt paketdən ibarətdir. 6 pinli DIP paketi və geniş ara məsafəsi və SMD seçimində mövcuddur.
Tətbiq Aralığı
Optoelektron Xüsusiyyətlər
Hissə nömrəsi
{016}-X013
və ya OR-TIL113Y-Z-W
Qeyd
{01176746N0,4N31,4N32vəya4N33)
TIL113= Hissə nömrəsi
Y = Qurğuşun forması yoxdur (S, M {01} {5} 0117351} Z = Lent və çarx seçimi (TA,TA1 və ya heç biri).
W= VDE təhlükəsizliyi üçün ‘V’ kodu (Bu seçimlər lazım deyil).
*VDE Kodu seçilə bilər.
Seçim |
Təsvir |
Qablaşdırma miqdarı |
Heç biri |
Standart DIP-6 |
boru başına 66 ədəd |
M |
Geniş əyilmə (0,4 düym məsafə) |
boru başına 66 ədəd |
S(TA) |
Səthə montaj qurğusu forması (aşağı profil) + TA lent və çarx seçimi |
çarx başına 1000 ədəd |
S(TA1) |
Səthə montaj qurğusu forması (aşağı profil) + TA1 lent və çarx seçimi |
çarx başına 1000 ədəd |